粤华信科技获无锡曜硅官方认证，具备一级代理天禀，可提供 LS30N087AJ 原厂正品保险、厚实供货与时期解救，以下为该器件完好意思附近评释，本质与原厂规格书 LS30N087AJ-Ver.1.0 保握一致。

一、居品轮廓

LS30N087AJ 是一款选拔先进沟槽工艺制造的 30V N 沟说念增强型功率 MOSFET，具备低导通电阻、低栅电荷、开关速率快、散热性能优异等特色，适用于负载开关、PWM 抵制、电源措置等中低压大电流功率变换场景。

二、中枢性格

耐压：VDS=30V 连气儿漏极电流：ID=18A@TC=25℃；11A@TC=100℃ 导通电阻：RDS (ON) Typ=8.7mΩ@VGS=10V，ID=10A；RDS (ON) Typ=12.7mΩ@VGS=4.5V，ID=5A 脉冲漏极电流：IDM=72A 封装：PDFN 3.3×3.3-8L 工艺：先进沟槽工艺，低 RDS (ON) 与低栅电荷兼顾

三、完满最大额定值（TC=25℃，无特殊评释）

伸开剩余81%

VDS 漏源电压：30V

VGS 栅源电压：±20V

ID 连气儿漏极电流 (25℃)：18A

ID 连气儿漏极电流 (100℃)：11A

IDM 脉冲漏极电流：72A

EAS 单脉冲雪崩能量：20mJ

PD 耗散功率 (25℃)：18W

RθJA 结 - 环境热阻：50℃/W

RθJC 结 - 壳热阻：7℃/W

TJ、TSTG 结温与存储温度：-55~150℃

四、电气性格（TJ=25℃，无特殊评释）

关断性格

V (BR) DSS 漏源击穿电压 (ID=250μA，VGS=0V)：≥30V

IDSS 零栅压走电流 (VDS=30V，VGS=0V)：≤1.0μA

IGSS 栅体走电流 (VDS=0V，杏彩(XingCai)官网平台VGS=±20V)：≤±100nA

导通性格

VGS (th) 栅极阈值电压 (VDS=VGS，ID=250μA)：1.0~2.2V，典型 1.6V

RDS (ON) 导通电阻 (VGS=10V，ID=10A)：典型 8.7mΩ，最大 12.2mΩ

RDS (ON) 导通电阻 (VGS=4.5V，ID=5A)：典型 12.7mΩ，最大 20.5mΩ

动态性格

Ciss 输入电容：835pF

Coss 输出电容：100pF

Crss 反向传输电容：81pF

Qg 总栅电荷：16nC

Qgs 栅源电荷：3.6nC

Qgd 栅漏 (米勒) 电荷：3.4nC

开关性格

td (on) 通畅蔓延：6ns

tr 高潮时辰：15ns

td (off) 关断蔓延：17ns

tf 着落时辰：5ns

体二极管性格

IS 二极管正向连气儿电流：18A

ISM 二极管正向脉冲电流：72A

VSD 二极管正向压降 (VGS=0V，IS=18A)：≤1.2V

trr 反向收复时辰 (IF=13A，di/dt=100A/μs)：9.4ns

Qrr 反向收复电荷：3.3nC

五、典型附近场景

负载开关：电板供电树立、蹧跶电子电源旅途措置 PWM 附近：DC/DC 变换器、电机运行、LED 运行 电源措置：快充合同、保护电路、低压大电流供电系统

六、封装与机械信息

封装神态：PDFN 3.3×3.3-8L

尺寸：3.3mm×3.3mm 超薄扁平封装，适宜高密度 PCB 布局

焊合：适宜 SMT 回流焊，散热焊盘径直齐集 PCB 增强散热

七、附近打算重心

运行电压：保举 VGS=10V，大阳城(SuncityGroup)获取最低 RDS (ON)；低压运行可使用 VGS=4.5V，粗野轻载 / 节能场景 散热打算：提议 PCB 预留满盈铺铜面积，使用 2oz 铜厚 FR4 板材；大电流握续责任时，需按 RθJA 与功耗核算温升 开关与 EMI：栅极串接小电阻 (几 Ω~ 几十 Ω) 扼制摇荡；优化 PCB 布局，裁减功率环路，训斥寄生电感 保护打算：幸免 VGS 突出 ±20V，精采栅氧化层击穿；理性负载附近需预留雪崩能量余量，必要加多续流 / 钳位电路

八、采购与时期解救

粤华信科技获无锡曜硅官方认证，具备一级代理天禀，可提供 LS30N087AJ 原厂正品、规格书更新、样品央求、批量供货及附近时期解救，保险居品厚实可靠供应。

评释：本指南本质完全基于 LS30N087AJ-Ver.1.0 原厂规格书，参数、性格、附近限度与原厂一致，未作念任何修改。

粤华信已获无锡曜硅官方授权大阳城(SuncityGroup)，为其正当授权代理商。

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