国度学问产权局信息深入，北京朔方华创微电子装备有限公司恳求一项名为“上电极结构及半导体工艺开辟”的专利，公开号CN121662694A，恳求日历为2024年9月。

专利摘抄深入，本发明提供一种上电极结构及半导体工艺开辟，上电极结构用于半导体工艺腔室，包括射频线圈和导电感应环，射频线圈用于在加载有射频时产生第一交变磁场，导电感应环在射频线圈的轴朝上与射频线圈相对竖立，凤凰体育(FHSports)且导电感应环与射频线圈之间绝缘，且射频线圈和导电感应环中的一个在另一个的径向平面上的正投影心仪：射频线圈和导电感应环中的一个的至少部分位于另一个的外角落内。本发明提供的上电极结构及半导体工艺开辟，对晶圆刻蚀均匀性的改善限度较大，改善才调较强，大阳城(SuncityGroup)大致使晶圆角落的刻蚀速度与晶圆中心区域的刻蚀速度彰着接近。

天眼查尊府深入，北京朔方华创微电子装备有限公司，树立于2001年，位于北京市，是一家以从事电气机械和器材制造业为主的企业。企业注册成本114153.708311万东谈主民币。通过天眼查大数据分析，北京朔方华创微电子装备有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标模样1393次，财产印迹方面有商标信息67条，专利信息5000条，此外企业还领有行政许可340个。

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